Samsung yang baru saja menggelar ajang Samsung Foundry Forum untuk Amerika Serikat lebih dulu ini mengungkapkan rencananya untuk mengembangkan semikonduktor dengan teknologi proses 1.4nm yang nantinya akan diproduksi secara massal pada tahun 2027 mendatang.

Dalam ajang tersebut, pihak perusahaan mengungkapkan peta jalan untuk semikonduktor yang semakin canggih ini, di mana setelah sukses mengembangkan sekaligus memproduksi semikonduktor 3nm, dirinya akan meningkatkan teknologi berbasis gate-all-around (GAA) dan berencana untuk memperkenalkan proses 2 nm pada tahun 2025.

Kebutuhan untuk mempercepat laju pengembangan semikonduktor dengan proses yang kian menipis ini datang dari kebutuhan pasar semikonduktor yang berperforma tinggi namun tetap berdaya rendah, seperti yang bisa digunakan untuk HPC (high performance computing), otomotif, 5G, dan Internet of Things (IoT).

Lewat ajang ini, Samsung akan meningkatkan dukungan proses 3 nm berbasis GAA untuk HPC dan seluler, sambil lebih jauh mendiversifikasi proses 4 nm yang dikhususkan untuk HPC dan aplikasi otomotif. Tidak hanya itu, pihak perusahaan berencana untuk memperluas kapasitas produksinya untuk node lanjutan lebih dari tiga kali lipat pada tahun 2027 dibandingkan tahun ini.

(sumber)