SK hynix baru saja mengumumkan teknologi penyimpanan terbaru mereka, yaitu UFS 4.1 dengan desain 321-layer TLC NAND flash. Ini diklaim adalah desain pertama di dunia, yang dihadirkan untuk smartphone. Teknologi ini menawarkan kecepatan, efisiensi daya, dan desain fisik yang lebih ramping dibanding generasi sebelumnya.

Teknologi UFS 4.1SK hnyix

Dibandingkan dengan model 238-layer yang dirilis pada 2022, kecepatan random read naik 15% dan random write meningkat hingga 40%. Untuk kecepatan baca sekuensial, performanya mencapai 4,3GB per detik, yang merupakan batas maksimum dari antarmuka UFS 4.1.

Menariknya, chip NAND ini juga lebih tipis, hanya 0,85mm, dibandingkan 1mm sebelumnya. Meski tampak kecil, pengurangan ini sangat berarti bagi produsen smartphone yang berlomba membuat perangkat lebih ramping tanpa mengorbankan performa.

Baca Juga: Infinix Xpad GT Turut Hadir di Indonesia, Segini Harganya! • Jagat Gadget

Tak hanya soal ukuran dan kecepatan, efisiensi daya juga meningkat sekitar 7%. Artinya, selain lebih hemat baterai, suhu perangkat juga bisa ditekan lebih rendah. Ini tentunya cocok buat smartphone modern yang semakin mengandalkan fitur AI.

SK hynix menyebut peningkatan pada kecepatan baca sekuensial akan mempercepat pemuatan model AI ke RAM, sedangkan kecepatan acak yang lebih tinggi akan mendukung multitasking lebih lancar.

Chip UFS 4.1 ini akan tersedia dalam dua pilihan kapasitas yaitu 512GB dan 1TB. Tidak ada opsi 256GB, jadi pengguna perlu memperhatikan ini saat memilih smartphone baru tahun depan, terutama jika ingin menikmati performa UFS 4.1 penuh.

Produksi massal direncanakan mulai kuartal pertama 2026, namun SK hynix saat ini sudah mulai mencari mitra produsen smartphone. Selain untuk smartphone, perusahaan ini juga sedang mengembangkan versi 321-layer untuk SSD, baik untuk pengguna rumahan maupun kebutuhan data center.

Sumber