SoC flagship generasi berikutnya dari Samsung yakni Exynos 2500 dilaporkan bakal memiliki efisiensi daya yang lebih baik ketimbang Snapdragon 8 Gen 4 dari Qualcomm. Hal tersebut berkat teknologi proses 3nm generasi kedua dari Samsung Foundry yang sudah menggunakan struktur transistor Gate-All-Around (GAA).

Exynos 2400 pada Galaxy S4 Series harus diakui cukup sukses dan bahkan dalam pengujian Geekbench terbaru performa SoC tersebut hampir setara dengan Snapdragon 8 Gen 3. Namun, generasi berikutnya yakni Exynos 2500 diyakini bakal lebih bersaing lagi dengan Snapdragon 8 Gen 4 terutama dari segi efisiensi daya.

Exynos 2500 diperkirakan bakal memakai teknologi proses 3nm generasi kedua dari Samsung Foundry dengan desain transistor terkini GAA. Sementara itu, Snapdragon 8 Gen 4 diketahui akan diproduksi oleh TSMC memakai teknologi proses 3nm juga tapi masih memakai struktur desain transistor FinFET yang lebih lama.

Dibanding FinFET, GAA jauh lebih unggul. GAA adalah desain transistor dengan “gerbang” di keempat sisi channel transistor. Hal itu akan membatasi kebocoran arus sehingga arus yang masuk bisa maksimal dan membuatnya jadi lebih efisien. Di sisi lain, desain FinFET hanya memungkinkan menutup tiga channel saja.

Baca Juga: Rumor: Snapdragon 8 Gen 4 Butuh Kapasitas Baterai Lebih Besar • Jagat Gadget (jagatreview.com)

Laporan sebelumnya menyebut bahwa Snapdragon 8 Gen 4 mengalami masalah efisiensi daya yang akan memaksa manufaktur smartphone menyediakan kapasitas baterai lebih besar untuk mengompensasinya. Dari aspek efisiensi ini, Exynos 2500 dikatakan bakal jauh lebih unggul ketimbang Snapdragon 8 Gen 4 mendatang.

Terlepas dari semua itu, baik Exynos 2500 atau Snapdragon 8 Gen 4 sendiri kemungkinan baru akan diperkenalkan pada akhir tahun ini. Perangkat dengan chipset tersebut juga tidak akan langsung tersedia di pasaran. Jadi, kita tunggu saja kabar selanjutnya ya!

Sumber