Penerus dari SoC andalan Qualcomm saat ini, Snapdragon 821, akhirnya resmi diumumkan. Qualcomm beberapa waktu lalu mengumumkan bahwa mereka akan menghadirkan SoC premium baru, Snapdragon 835, pada tahun 2017 mendatang. SoC tersebut akan diproduksi oleh raksasa elektronik dunia dari Korea Selatan, Samsung.

Fabrikasi 10 nm FinFET di Fasilitas Samsung

Snapdragon 835 dipastikan akan diproduksi di fasilitas milik Samsung, dengan fabrikasi 10 nm FinFET. Qualcomm menyebutkan bahwa fabrikasi 10 nm ini memungkinkan mereka mendorong performa SoC baru itu sembari menawarkan efisiensi daya yang lebih baik. Produksi tahap awal untuk SoC tersebut disebut sudah dimulai saat ini, dengan ketersediaan di produk di pasar diharapkan di paruh awal tahun 2017.

Performa Lebih Tinggi, Quick Charge 4.0

Bila dibandingkan dengan Snapdragon 820, Qualcomm menyebutkan bahwa Snapdragon 835 ini akan menawarkan performa 27% lebih tinggi atau efisiensi daya 40% lebih baik. Sayangnya, tidak disebutkan secara rinci spesifikasi CPU, GPU, DSP, dan lain sebagainya di dalam SoC baru tersebut. Qualcomm menyebutkan SoC ini akan memiliki ukuran lebih kecil dari pendahulunya, sehingga produsen bisa mendapat sedikit ruang ekstra untuk komponen lain di dalam perangkat.

Qualcomm juga mengkonfirmasi bahwa fitur pengisian ulang daya cepat terbaru, Quick Charge 4.0, akan hadir di Snapdragon 835 ini. Fitur ini disebut memungkinkan pengisian ulang baterai 20% lebih cepat dan 30% lebih efisien. Dukungan untuk USB Type C dan USB Power Delivery juga tersedia di Quick Charge 4.0, sehingga fitur tersebut bisa digunakan di semakin banyak perangkat, dan didukung lebih banyak aksesori.