Beberapa waktu yang lalu, Samsung dikabarkan sudah memulai masa produksi dari chip dengan proses 3nm Gate-All-Around (GAA) miliknya. Dan terhitung 25 Juli kemarin, pihaknya melakukan selebrasi untuk proses pengiriman pertama dari chip tersebut.

Selebrasi ini didatangi oleh sekitar 100 orang termasuk pihak eksekutif dan pekerja, CEO dari beragam perusahaan teknologi, serta Menteri Perdagangan, Industri, dan Energi Lee Chang-yang yang menjanjikan dukungannya untuk ekosistem semikonduktor di Korea Selatan.

Pengembangan transistor GAA oleh Samsung telah dimulai sejak tahun 2000an, di mana eksperimen dengan desain dimulai di tahun 2017. Kini, Samsung sudah siap untuk memproduksi chip tersebut yang menggunakan proses baru secara massal.

Melansir GSM Arena, dibandingkan dengan FinFET, desain GAA ini memungkinkan transistor untuk membawa lebih banyak arus dan fitur, tetapi tetap dikemas dalam ukuran relatif kecil. Chip GAA 3nm akan menggunakan 45% daya lebih sedikit, memiliki kecepatan 23% lebih baik, dan 16% lebih kecil dibandingkan dengan chip FinFET 5nm yang serupa.

Selain Samsung, pihak TSMC juga dilaporkan akan membuat chip 3nm secara massal mulai akhir tahun 2022 ini, namun pihaknya masih akan menggunakan desain FinFET dengan kemungkinan akan beralih juga ke GAAFET untuk node 2nm.